DMN2050LFDB-7, MOSFET DUAL N-CH EH MODE 20V 45mOhm 4.5A

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: DMN2050LFDB-7
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET Полевые МОП-транзисторы Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления...
Вес и габариты
channel mode:Enhancement
configuration:Dual
continuous drain current (id) @ 25в°c3.3A
110
+
Бонус: 2.2 !
Бонусная программа
Итого: 110
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET Полевые МОП-транзисторы Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Вес и габариты
channel mode:Enhancement
configuration:Dual
continuous drain current (id) @ 25в°c3.3A
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
id - continuous drain current:4.5 A
manufacturer:Diodes Incorporated
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
number of channels:2 Channel
package/case:DFN-2020-6
packaging:Reel, Cut Tape, MouseReel
pd - power dissipation:1.42 W
power dissipation-max (ta=25в°c)730mW
product category:MOSFET
product type:MOSFET
qg - gate charge:12 nC
rds on - drain-source resistance45mО© @ 5A,4.5V
rds on - drain-source resistance:45 mOhms
series:DMN2050
subcategory:MOSFETs
technology:Si
transistor polarity2 N Channel(Double)
transistor polarity:N-Channel
transistor type:2 N-Channel
vds - drain-source breakdown voltage20V
vds - drain-source breakdown voltage:20 V
вес, г0.01
vgs - gate-source voltage1V @ 250uA
vgs - gate-source voltage:-12 V, +12 V
vgs th - gate-source threshold voltage:400 mV
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль