DMN2015UFDF-7

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS: 8V-24V
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки11.6 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
120
+
Бонус: 2.4 !
Бонусная программа
Итого: 120
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS: 8V-24V
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки11.6 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности1.8 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора19.3 nC
размер фабричной упаковки3000
rds вкл - сопротивление сток-исток6.8 mOhms
технологияSi
типичное время задержки при включении4.7 ns
типичное время задержки выключения23 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаDiodes Incorporated
vds - напряжение пробоя сток-исток20 V
vgs - напряжение затвор-исток4.5 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток400 mV
время нарастания6.9 ns
время спада7.4 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль