Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыМОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS: 8V-24V

Подробное описание

85 ₽

– +

Бонус: 1.7 !

Бонусная программа

Итого: 85 ₽

Купить

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыМОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS: 8V-24V

Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки	11.6 A
канальный режим	Enhancement
категория продукта	МОП-транзистор
количество каналов	1 Channel
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
pd - рассеивание мощности	1.8 W
подкатегория	MOSFETs
полярность транзистора	N-Channel
qg - заряд затвора	19.3 nC
размер фабричной упаковки	3000
rds вкл - сопротивление сток-исток	6.8 mOhms
технология	Si
типичное время задержки при включении	4.7 ns
типичное время задержки выключения	23 ns
тип продукта	MOSFET
тип транзистора	1 N-Channel
торговая марка	Diodes Incorporated
vds - напряжение пробоя сток-исток	20 V
вес, г	0.12
vgs - напряжение затвор-исток	4.5 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	400 mV
время нарастания	6.9 ns
время спада	7.4 ns

Отзывов нет

Кнопки

DMN2015UFDF-7, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 20 В, 11.6 А, 0.0068 Ом, U-DFN2020, Surface Mount