DMN2005UFG-7, MOSFET 20V N-Ch Enh FET 6495pF 66.8nC

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET Полевые МОП-транзисторы Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления...

Подробное описание

Вес и габариты
base product number	DMN2005 ->
channel mode:	Enhancement
configuration:	Single

Все характеристики

150 ₽

– +

Бонус: 3 !

Бонусная программа

Итого: 150 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Вес и габариты
base product number	DMN2005 ->
channel mode:	Enhancement
configuration:	Single
current - continuous drain (id) @ 25в°c	18.1A (Tc)
drain to source voltage (vdss)	20V
drive voltage (max rds on, min rds on)	2.5V, 4.5V
eccn	EAR99
factory pack quantity: factory pack quantity:	2000
fall time:	38 ns
fet type	N-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs	164nC @ 10V
htsus	8541.29.0095
id - continuous drain current:	18.1 A
input capacitance (ciss) (max) @ vds	6495pF @ 10V
manufacturer:	Diodes Incorporated
maximum operating temperature:	+150 C
minimum operating temperature:	-55 C
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting style:	SMD/SMT
mounting type	Surface Mount
number of channels:	1 Channel
operating temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case	8-PowerVDFN
package/case:	PowerDI3333-8
packaging:	Reel, Cut Tape, MouseReel
pd - power dissipation:	2.27 W
power dissipation (max)	1.05W (Ta)
product category:	MOSFET
product type:	MOSFET
qg - gate charge:	68.8 nC
rds on - drain-source resistance:	8.7 mOhms
rds on (max) @ id, vgs	4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
reach status	REACH Unaffected
rise time:	25.7 ns
rohs status	ROHS3 Compliant
series:	DMN2005
subcategory:	MOSFETs
supplier device package	PowerDI3333-8
technology	MOSFET (Metal Oxide)
technology:	Si
transistor polarity:	N-Channel
transistor type:	1 N-Channel
typical turn-off delay time:	114 ns
typical turn-on delay time:	12.4 ns
vds - drain-source breakdown voltage:	20 V
вес, г	0.03
vgs - gate-source voltage:	-12 V, +12 V
vgs (max)	В±12V
vgs th - gate-source threshold voltage:	700 mV
vgs(th) (max) @ id	1.2V @ 250ВµA

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

DMN2005UFG-7, MOSFET 20V N-Ch Enh FET 6495pF 66.8nC