DMN2004WK-7
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleN-канал 20 В 540 мА (Ta) 200 мВт (Ta) поверхностный монтаж SOT-323
| Вес и габариты | |
| base product number | DMN2004 -> |
| continuous drain current (id) @ 25в°c | 540mA |
| current - continuous drain (id) @ 25в°c | 540mA (Ta) |
| drain to source voltage (vdss) | 20V |
| drive voltage (max rds on, min rds on) | 1.8V, 4.5V |
| eccn | EAR99 |
| fet type | N-Channel |
| htsus | 8541.21.0095 |
| id - непрерывный ток утечки: | 540 mA |
| input capacitance (ciss) (max) @ vds | 150pF @ 16V |
| канальный режим: | Enhancement |
| категория продукта: | МОП-транзистор |
| количество каналов: | 1 Channel |
| конфигурация: | Single |
| максимальная рабочая температура: | +150 C |
| минимальная рабочая температура: | -65 C |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting type | Surface Mount |
| operating temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| package / case | SC-70, SOT-323 |
| pd - рассеивание мощности: | 200 mW |
| подкатегория: | MOSFETs |
| полярность транзистора: | N-Channel |
| power dissipation (max) | 200mW (Ta) |
| power dissipation-max (ta=25в°c) | 200mW |
| продукт: | MOSFET Small Signal |
| производитель: | Diodes Incorporated |
| размер фабричной упаковки: размер фабричной упаковки: | 3000 |
| rds on - drain-source resistance | 550mО© @ 540mA,4.5V |
| rds on (max) @ id, vgs | 550mOhm @ 540mA, 4.5V |
| rds вкл - сопротивление сток-исток: | 550 mOhms |
| reach status | REACH Unaffected |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| series | Automotive, AEC-Q101 -> |
| серия: | DMN2004 |
| supplier device package | SOT-323 |
| technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| технология: | Si |
| тип продукта: | MOSFET |
| тип транзистора: | 1 N-Channel |
| торговая марка: | Diodes Incorporated |
| transistor polarity | N Channel |
| упаковка: | Reel, Cut Tape, MouseReel |
| упаковка / блок: | SOT-323-3 |
| vds - drain-source breakdown voltage | 20V |
| vds - напряжение пробоя сток-исток: | 20 V |
| vgs - gate-source voltage | 1V @ 250uA |
| vgs (max) | В±8V |
| vgs - напряжение затвор-исток: | -8 v, +8 v |
| vgs(th) (max) @ id | 1V @ 250ВµA |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : | 500 mv |
| вид монтажа: | SMD/SMT |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26