DMN16M9UCA6-7, MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: DMN16M9UCA6-7
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET Полевые МОП-транзисторы Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления...
Вес и габариты
channel mode:Enhancement
configuration:Dual
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
250
+
Бонус: 5 !
Бонусная программа
Итого: 250
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET Полевые МОП-транзисторы Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Вес и габариты
channel mode:Enhancement
configuration:Dual
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
fall time:3812 ns
id - continuous drain current:16.6 A
manufacturer:Diodes Incorporated
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
number of channels:2 Channel
package/case:X3-DSN2718-6
packaging:Reel, Cut Tape
pd - power dissipation:2.4 W
product category:MOSFET
product type:MOSFET
qg - gate charge:35.2 nC
qualification:AEC-Q101
rds on - drain-source resistance:6.5 mOhms
rise time:1447 ns
subcategory:MOSFETs
technology:Si
transistor polarity:N-Channel, NPN
transistor type:2 N-Channel
typical turn-off delay time:2736 ns
typical turn-on delay time:615 ns
vds - drain-source breakdown voltage:12 V
вес, г0.01
vgs - gate-source voltage:-12 V, +12 V
vgs th - gate-source threshold voltage:500 mV
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль