DMN10H170SVT-7

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Вес и габариты
channel modeEnhancement
configurationSingle
factory pack quantity3000
130
+
Бонус: 2.6 !
Бонусная программа
Итого: 130
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Вес и габариты
channel modeEnhancement
configurationSingle
factory pack quantity3000
fall time12 ns
id - continuous drain current2.6 A
manufacturerDiodes Incorporated
maximum operating temperature+150 C
minimum operating temperature-55 C
mounting styleSMD/SMT
number of channels1 Channel
package / caseTSOT-26-6
packagingCut Tape or Reel
pd - power dissipation1.2 W
product categoryMOSFET
product typeMOSFET
qg - gate charge9.7 nC
rds on - drain-source resistance115 mOhms
rise time11 ns
seriesDMN10
subcategoryMOSFETs
technologySi
transistor polarityN-Channel
transistor type1 N-Channel
typical turn-off delay time42 ns
typical turn-on delay time10 ns
vds - drain-source breakdown voltage100 V
vgs - gate-source voltage20 V
vgs th - gate-source threshold voltage1 V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль