DMN10H170SK3-13
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 100V N-CH МОП-транзистор 100V 12A
| Вес и габариты | |
| channel mode | Enhancement |
| configuration | Single |
| factory pack quantity | 2500 |
| fall time | 12.8 ns |
| id - continuous drain current | 12 A |
| id - непрерывный ток утечки | 12 A |
| канальный режим | Enhancement |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| количество каналов | 1 Channel |
| конфигурация | Single |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| manufacturer | Diodes Incorporated |
| maximum operating temperature | +150 C |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| minimum operating temperature | -55 C |
| mounting style | SMD/SMT |
| number of channels | 1 Channel |
| package / case | TO-252-3 |
| packaging | Cut Tape or Reel |
| pd - power dissipation | 42 W |
| pd - рассеивание мощности | 42 W |
| подкатегория | MOSFETs |
| полярность транзистора | N-Channel |
| product category | MOSFET |
| product type | MOSFET |
| qg - gate charge | 9.7 nC |
| qg - заряд затвора | 9.7 nC |
| размер фабричной упаковки | 2500 |
| rds on - drain-source resistance | 140 mOhms |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 140 mOhms |
| rise time | 11.1 ns |
| series | DMN10 |
| серия | DMN10 |
| subcategory | MOSFETs |
| technology | Si |
| технология | Si |
| типичное время задержки при включении | 10.5 ns |
| типичное время задержки выключения | 42.6 ns |
| тип продукта | MOSFET |
| тип транзистора | 1 N-Channel |
| торговая марка | Diodes Incorporated |
| transistor polarity | N-Channel |
| transistor type | 1 N-Channel |
| typical turn-off delay time | 42.6 ns |
| typical turn-on delay time | 10.5 ns |
| упаковка / блок | TO-252-3 |
| vds - drain-source breakdown voltage | 100 V |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| вес, г | 0.49 |
| vgs - gate-source voltage | 10 V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| vgs th - gate-source threshold voltage | 1 V |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| время нарастания | 11.1 ns |
| время спада | 12.8 ns |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26