Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор N-Ch Enh Mode FET 100Vdss 20Vgss

Подробное описание

150 ₽

– +

Бонус: 3 !

Бонусная программа

Итого: 150 ₽

Купить

Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки	2.9 A
канальный режим	Enhancement
категория продукта	МОП-транзистор
количество каналов	1 Channel
конфигурация	Single
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	4.4 S
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
pd - рассеивание мощности	2 W
подкатегория	MOSFETs
полярность транзистора	N-Channel
qg - заряд затвора	14.9 nC
размер фабричной упаковки	2000
rds вкл - сопротивление сток-исток	122 mOhms
серия	DMN10
технология	Si
типичное время задержки при включении	4.4 ns
типичное время задержки выключения	13.9 ns
тип продукта	MOSFET
тип транзистора	1 N-Channel
торговая марка	Diodes Incorporated
упаковка / блок	PowerDI3333-8
vds - напряжение пробоя сток-исток	100 V
вес, г	0.072
vgs - напряжение затвор-исток	20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3 V
вид монтажа	SMD/SMT
время нарастания	2.3 ns
время спада	3.4 ns

Отзывов нет

Кнопки

DMN10H170SFG-7