DMN10H170SFG-13

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
МОП-транзистор N-Ch Enh Mode FET 100Vdss 20Vgss
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки8.5 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
150
+
Бонус: 3 !
Бонусная программа
Итого: 150
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор N-Ch Enh Mode FET 100Vdss 20Vgss
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки8.5 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности2 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора14.9 nC
размер фабричной упаковки3000
rds вкл - сопротивление сток-исток99 mOhms
серияDMN10
технологияSi
типичное время задержки при включении4.4 ns
типичное время задержки выключения13.9 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаDiodes Incorporated
упаковка / блокPowerDI3333-8
vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания2.3 ns
время спада3.4 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль