DMN10H120SFG-13, N-Channel MOSFET, 5.3 A, 100 V, 8-Pin PowerDI3333-8 Diodes Inc DMN10H120SFG-13

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: DMN10H120SFG-13
Полевые МОП-транзисторы Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств...
Вес и габариты
channel mode:Enhancement
configuration:Single
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
47
+
Бонус: 0.94 !
Бонусная программа
Итого: 47
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полевые МОП-транзисторы Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Вес и габариты
channel mode:Enhancement
configuration:Single
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
fall time:2.5 ns
id - continuous drain current:3.8 A
manufacturer:Diodes Incorporated
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
number of channels:1 Channel
package/case:PowerDI3333-8
packaging:Reel, Cut Tape, MouseReel
pd - power dissipation:1 W
product category:MOSFET
product type:MOSFET
qg - gate charge:10.6 nC
rds on - drain-source resistance:68 mOhms
rise time:1.8 ns
series:D0H120
subcategory:MOSFETs
technology:Si
transistor polarity:N-Channel
transistor type:1 N-Channel
typical turn-off delay time:11.5 ns
typical turn-on delay time:3.8 ns
vds - drain-source breakdown voltage:100 V
vgs - gate-source voltage:-20 V, +20 V
vgs th - gate-source threshold voltage:1.5 V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль