DMN1029UFDB-7

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - ArraysМассив Mosfet 2, N-канал (двойной), 12 В, 5,6 А, 1,4 Вт, поверхностный монтаж, U-DFN2020-6 (тип B)
Вес и габариты
base product numberDMN1029 ->
current - continuous drain (id) @ 25в°c5.6A
drain to source voltage (vdss)12V
120
+
Бонус: 2.4 !
Бонусная программа
Итого: 120
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - ArraysМассив Mosfet 2, N-канал (двойной), 12 В, 5,6 А, 1,4 Вт, поверхностный монтаж, U-DFN2020-6 (тип B)
Вес и габариты
base product numberDMN1029 ->
current - continuous drain (id) @ 25в°c5.6A
drain to source voltage (vdss)12V
eccnEAR99
fet featureStandard
fet type2 N-Channel (Dual)
gate charge (qg) (max) @ vgs19.6nC @ 8V
htsus8541.29.0095
input capacitance (ciss) (max) @ vds914pF @ 6V
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case6-UDFN Exposed Pad
power - max1.4W
rds on (max) @ id, vgs29mOhm @ 5A, 4.5V
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
supplier device packageU-DFN2020-6 (Type B)
vgs(th) (max) @ id1V @ 250ВµA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль