Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Подробное описание

Вес и габариты
channel type	N Channel
drain source on state resistance	0.007Ом
количество выводов	3вывод(-ов)

110 ₽

– +

Бонус: 2.2 !

Бонусная программа

Итого: 110 ₽

Купить

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Вес и габариты
channel type	N Channel
drain source on state resistance	0.007Ом
количество выводов	3вывод(-ов)
максимальная рабочая температура	150 C
монтаж транзистора	Surface Mount
напряжение истока-стока vds	12В
напряжение измерения rds(on)	4.5В
непрерывный ток стока	9.3А
полярность транзистора	N Канал
пороговое напряжение vgs	530мВ
power dissipation	680мВт
рассеиваемая мощность	680мВт
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	0.007Ом
стиль корпуса транзистора	SC-59
уровень чувствительности к влажности (msl)	MSL 1-Безлимитный
вес, г	0.12

0.0

общая оценка

Всего 0 отзывов

0 отзывов

Отзывов нет

Кнопки

DMN1019USN-13, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 12 В, 9.3 А, 0.007 Ом, SC-59, Surface Mount