DMN1003UCA6-7

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор МОП-транзисторBVDSS: 8V-24V
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки23.6 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
230
+
Бонус: 4.6 !
Бонусная программа
Итого: 230
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор МОП-транзисторBVDSS: 8V-24V
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки23.6 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов2 Channel
конфигурацияDual
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности2.67 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора56.5 nC
размер фабричной упаковки3000
rds вкл - сопротивление сток-исток2.3 mOhms, 2.3 mOhms
технологияSi
типичное время задержки при включении603 ns, 603 ns
типичное время задержки выключения47479 ns, 4747 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора2 N-Channel
торговая маркаDiodes Incorporated
упаковка / блокX3-DSN3518-6
vds - напряжение пробоя сток-исток12 V
вес, г7.8
vgs - напряжение затвор-исток8 V, + 8 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток500 mV
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания1694 ns, 1694 ns
время спада6208 ns, 6208 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль