- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleN-канал 30V 4A (Ta) 1,4W (Ta) поверхностный монтаж SOT-23
Основные | |
Производитель | DiodesZetex |
Вес и габариты | |
base product number | DMG3418 -> |
channel mode | Enhancement |
число контактов | 3 |
configuration | Single |
current - continuous drain (id) @ 25в°c | 4A (Ta) |
длина | 3мм |
drain to source voltage (vdss) | 30V |
drive voltage (max rds on, min rds on) | 2.5V, 10V |
eccn | EAR99 |
factory pack quantity | 3000 |
fall time | 2 ns |
fet type | N-Channel |
gate charge (qg) (max) @ vgs | 5.5nC @ 4.5V |
Высота | 1 мм |
htsus | 8541.29.0095 |
id - continuous drain current | 4 A |
input capacitance (ciss) (max) @ vds | 464.3pF @ 15V |
количество элементов на ис | 1 |
максимальная рабочая температура | +150 °C |
максимальное напряжение сток-исток | 30 V |
максимальное напряжение затвор-исток | -12 В, +12 В |
максимальное рассеяние мощности | 1,4 Вт |
максимальное сопротивление сток-исток | 150 мΩ |
максимальный непрерывный ток стока | 4 А |
manufacturer | Diodes Incorporated |
материал транзистора | Кремний |
maximum gate threshold voltage | 1.5V |
maximum operating temperature | +150 C |
минимальная рабочая температура | -55 °C |
minimum gate threshold voltage | 0.5V |
minimum operating temperature | -55 C |
moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
mounting style | SMD/SMT |
mounting type | Surface Mount |
номер канала | Поднятие |
number of channels | 1 Channel |
operating temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
package / case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
packaging | Cut Tape or Reel |
pd - power dissipation | 1.4 W |
power dissipation (max) | 1.4W (Ta) |
product category | MOSFET |
product type | MOSFET |
прямое напряжение диода | 1.2V |
qg - gate charge | 5.5 nC |
размеры | 3 x 1.4 x 1мм |
rds on - drain-source resistance | 60 mOhms |
rds on (max) @ id, vgs | 60mOhm @ 4A, 10V |
reach status | REACH Unaffected |
rise time | 1.6 ns |
rohs status | ROHS3 Compliant |
series | DMG3418 |
subcategory | MOSFETs |
supplier device package | SOT-23 |
technology | MOSFET (Metal Oxide) |
типичная входная емкость при vds | 464,3 пФ при 15 В |
типичное время задержки включения | 1,9 нс |
типичное время задержки выключения | 10,3 нс |
типичный заряд затвора при vgs | 5,5 нКл при 4,5 В |
тип канала | N |
тип корпуса | SOT-23 |
тип монтажа | Поверхностный монтаж |
transistor configuration | Одинарный |
transistor polarity | N-Channel |
transistor type | 1 N-Channel |
typical turn-off delay time | 10.3 ns |
typical turn-on delay time | 1.9 ns |
vds - drain-source breakdown voltage | 30 V |
vgs - gate-source voltage | 10 V |
vgs (max) | В±12V |
vgs th - gate-source threshold voltage | 1.5 V |
vgs(th) (max) @ id | 1.5V @ 250ВµA |
Ширина | 1.4 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26