DMG3418L-7

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleN-канал 30V 4A (Ta) 1,4W (Ta) поверхностный монтаж SOT-23
DiodesZetex
Основные
ПроизводительDiodesZetex
Вес и габариты
base product numberDMG3418 ->
channel modeEnhancement
110
+
Бонус: 2.2 !
Бонусная программа
Итого: 110
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleN-канал 30V 4A (Ta) 1,4W (Ta) поверхностный монтаж SOT-23
Основные
ПроизводительDiodesZetex
Вес и габариты
base product numberDMG3418 ->
channel modeEnhancement
число контактов3
configurationSingle
current - continuous drain (id) @ 25в°c4A (Ta)
длина3мм
drain to source voltage (vdss)30V
drive voltage (max rds on, min rds on)2.5V, 10V
eccnEAR99
factory pack quantity3000
fall time2 ns
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs5.5nC @ 4.5V
Высота 1 мм
htsus8541.29.0095
id - continuous drain current4 A
input capacitance (ciss) (max) @ vds464.3pF @ 15V
количество элементов на ис1
максимальная рабочая температура+150 °C
максимальное напряжение сток-исток30 V
максимальное напряжение затвор-исток-12 В, +12 В
максимальное рассеяние мощности1,4 Вт
максимальное сопротивление сток-исток150 мΩ
максимальный непрерывный ток стока4 А
manufacturerDiodes Incorporated
материал транзистораКремний
maximum gate threshold voltage1.5V
maximum operating temperature+150 C
минимальная рабочая температура-55 °C
minimum gate threshold voltage0.5V
minimum operating temperature-55 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting styleSMD/SMT
mounting typeSurface Mount
номер каналаПоднятие
number of channels1 Channel
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
packagingCut Tape or Reel
pd - power dissipation1.4 W
power dissipation (max)1.4W (Ta)
product categoryMOSFET
product typeMOSFET
прямое напряжение диода1.2V
qg - gate charge5.5 nC
размеры3 x 1.4 x 1мм
rds on - drain-source resistance60 mOhms
rds on (max) @ id, vgs60mOhm @ 4A, 10V
reach statusREACH Unaffected
rise time1.6 ns
rohs statusROHS3 Compliant
seriesDMG3418
subcategoryMOSFETs
supplier device packageSOT-23
technologyMOSFET (Metal Oxide)
типичная входная емкость при vds464,3 пФ при 15 В
типичное время задержки включения1,9 нс
типичное время задержки выключения10,3 нс
типичный заряд затвора при vgs5,5 нКл при 4,5 В
тип каналаN
тип корпусаSOT-23
тип монтажаПоверхностный монтаж
transistor configurationОдинарный
transistor polarityN-Channel
transistor type1 N-Channel
typical turn-off delay time10.3 ns
typical turn-on delay time1.9 ns
vds - drain-source breakdown voltage30 V
vgs - gate-source voltage10 V
vgs (max)В±12V
vgs th - gate-source threshold voltage1.5 V
vgs(th) (max) @ id1.5V @ 250ВµA
Ширина1.4 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль