DMG3415UFY4Q-7
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор P-Ch -16V Enh FET 8Vgss -12A 0.65W
| Вес и габариты | |
| base product number | DMG3415 -> |
| current - continuous drain (id) @ 25в°c | 2.5A (Ta) |
| drain to source voltage (vdss) | 16V |
| drive voltage (max rds on, min rds on) | 1.8V, 4.5V |
| eccn | EAR99 |
| fet type | P-Channel |
| gate charge (qg) (max) @ vgs | 10nC @ 4.5V |
| htsus | 8541.21.0095 |
| id - непрерывный ток утечки | 2.5 A |
| input capacitance (ciss) (max) @ vds | 282pF @ 10V |
| канальный режим | Enhancement |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| количество каналов | 1 Channel |
| конфигурация | Single |
| крутизна характеристики прямой передачи - мин. | 7.9 S |
| квалификация | AEC-Q101 |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting type | Surface Mount |
| operating temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| package / case | 3-XDFN |
| pd - рассеивание мощности | 1.35 W |
| подкатегория | MOSFETs |
| полярность транзистора | P-Channel |
| power dissipation (max) | 650mW (Ta) |
| qg - заряд затвора | 10 nC |
| размер фабричной упаковки | 3000 |
| rds on (max) @ id, vgs | 39mOhm @ 4A, 4.5V |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 65 mOhms |
| reach status | REACH Unaffected |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| серия | DMG3415 |
| supplier device package | X2-DFN2015-3 |
| technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| технология | Si |
| типичное время задержки при включении | 79 ns |
| типичное время задержки выключения | 885 ns |
| тип продукта | MOSFET |
| тип транзистора | 1 P-Channel |
| торговая марка | Diodes Incorporated |
| упаковка / блок | X2-DFN2015-3 |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 16 V |
| vgs (max) | В±8V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 8 V |
| vgs(th) (max) @ id | 1V @ 250ВµA |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| время нарастания | 175 ns |
| время спада | 568 ns |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
