DMG3402L-7

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторыкорпус: SOT-23, инфо: Транзистор полевой N-канальный 30В 4A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушкеTrans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
Вес и габариты
automotiveNo
channel modeEnhancement
channel typeN
18
+
Бонус: 0.36 !
Бонусная программа
Итого: 18
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторыкорпус: SOT-23, инфо: Транзистор полевой N-канальный 30В 4A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушкеTrans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
Вес и габариты
automotiveNo
channel modeEnhancement
channel typeN
configurationSingle
continuous drain current (id) @ 25в°c4A
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant
lead shapeGull-wing
maximum continuous drain current (a)4
maximum drain source resistance (mohm)52 10V
maximum drain source voltage (v)30
maximum gate source leakage current (na)100
maximum gate source voltage (v)±12
maximum gate threshold voltage (v)1.4
maximum idss (ua)1
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)1400
minimum operating temperature (°c)-55
mountingSurface Mount
number of elements per chip1
packagingTape and Reel
part statusActive
pcb changed3
pin count3
power dissipation-max (ta=25в°c)1.4W
ppapNo
product categoryPower MOSFET
rds on - drain-source resistance52mО© @ 4A,10V
standard package nameSOT-23
supplier packageSOT-23
transistor polarityN Channel
typical fall time (ns)2
typical gate charge @ 10v (nc)11.7
typical gate charge @ vgs (nc)11.7 10V
typical input capacitance @ vds (pf)464 15V
typical rise time (ns)1.6
typical turn-off delay time (ns)10.3
typical turn-on delay time (ns)1.9
vds - drain-source breakdown voltage30V
вес, г0.04
vgs - gate-source voltage1.4V @ 250uA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль