DMG301NU-13, MOSFET 25V N-Ch ENH FET 25Vds 8Vgs 0.32W

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET Полевые МОП-транзисторы Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления...

Подробное описание

Вес и габариты
channel mode	Enhancement
channel mode:	Enhancement
configuration	Single

Все характеристики

120 ₽

– +

Бонус: 2.4 !

Бонусная программа

Итого: 120 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Вес и габариты
channel mode	Enhancement
channel mode:	Enhancement
configuration	Single
configuration:	Single
factory pack quantity	10000
factory pack quantity: factory pack quantity:	10000
fall time	2.3 ns
fall time:	2.3 ns
forward transconductance - min	1 S
forward transconductance - min:	1 S
id - continuous drain current	260 mA
id - continuous drain current:	260 mA
manufacturer	Diodes Incorporated
manufacturer:	Diodes Incorporated
maximum operating temperature	+ 150 C
maximum operating temperature:	+150 C
minimum operating temperature	- 55 C
minimum operating temperature:	-55 C
mounting style	SMD/SMT
mounting style:	SMD/SMT
number of channels	1 Channel
number of channels:	1 Channel
package / case	SOT-23-3
package/case:	SOT-23-3
packaging	Cut Tape or Reel
packaging:	Reel, Cut Tape, MouseReel
pd - power dissipation	320 mW
pd - power dissipation:	320 mW
product category	MOSFET
product category:	MOSFET
product type	MOSFET
product type:	MOSFET
qg - gate charge	360 pC
qg - gate charge:	360 pC
rds on - drain-source resistance	4 Ohms
rds on - drain-source resistance:	4 Ohms
rise time	1.8 ns
rise time:	1.8 ns
series	DMG301
series:	DMG301
subcategory	MOSFETs
subcategory:	MOSFETs
technology	Si
technology:	Si
transistor polarity	N-Channel
transistor polarity:	N-Channel
transistor type	1 N-Channel
transistor type:	1 N-Channel
typical turn-off delay time	6.6 ns
typical turn-off delay time:	6.6 ns
typical turn-on delay time	2.9 ns
typical turn-on delay time:	2.9 ns
unit weight	0.000282 oz
vds - drain-source breakdown voltage	25 V
vds - drain-source breakdown voltage:	25 V
вес, г	0.01
vgs - gate-source voltage	4.5 V
vgs - gate-source voltage:	-8 V, +8 V
vgs th - gate-source threshold voltage	700 mV
vgs th - gate-source threshold voltage:	700 mV

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

DMG301NU-13, MOSFET 25V N-Ch ENH FET 25Vds 8Vgs 0.32W