DMG1013UWQ-7

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Вес и габариты
channel modeEnhancement
configurationSingle
factory pack quantity3000
16
+
Бонус: 0.32 !
Бонусная программа
Итого: 16
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Вес и габариты
channel modeEnhancement
configurationSingle
factory pack quantity3000
fall time20.7 ns
forward transconductance - min0.9 S
id - continuous drain current820 mA
manufacturerDiodes Incorporated
maximum operating temperature+150 C
minimum operating temperature-55 C
mounting styleSMD/SMT
number of channels1 Channel
package / caseSOT-323-3
packagingCut Tape or Reel
pd - power dissipation310 mW
product categoryMOSFET
product typeMOSFET
qg - gate charge622.4 pC
qualificationAEC-Q101
rds on - drain-source resistance1.5 Ohms
rise time8.1 ns
subcategoryMOSFETs
technologySi
transistor polarityP-Channel
transistor type1 P-Channel
typical turn-off delay time28.4 ns
typical turn-on delay time5.1 ns
vds - drain-source breakdown voltage20 V
вес, г0.01
vgs - gate-source voltage6 V
vgs th - gate-source threshold voltage1 V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль