DMC6070LND-7, Trans MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2.4A 8-Pin PowerDI EP T/R
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: DMC6070LND-7
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Diodes, Transistors and Thyristors\FET Transistors\MOSFETsTrans MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2.4A 8-Pin PowerDI EP T/R
| Вес и габариты | |
| automotive | No |
| channel mode | Enhancement |
| channel type | N|P |
| configuration | Dual Dual Drain |
| eccn (us) | ear99 |
| eu rohs | compliant |
| id - непрерывный ток утечки | 3.1 A, 2.4 A |
| канальный режим | Enhancement |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| количество каналов | 2 Channel |
| конфигурация | Dual |
| lead shape | no lead |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| maximum continuous drain current (a) | 3.1 N Channel|2.4 P Channel |
| maximum drain source resistance (mohm) | 85 10V N Channel|150 10V P Channel |
| maximum drain source voltage (v) | 60 |
| maximum gate source leakage current (na) | 100 |
| maximum gate source voltage (v) | ±20 |
| maximum gate threshold voltage (v) | 3 |
| maximum idss (ua) | 1 |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| maximum power dissipation (mw) | 1400 |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| mounting | surface mount |
| number of elements per chip | 2 |
| packaging | Tape and Reel |
| part status | active |
| pcb changed | 8 |
| pd - рассеивание мощности | 1.4 W |
| pin count | 8 |
| подкатегория | MOSFETs |
| полярность транзистора | N-Channel, P-Channel |
| ppap | No |
| qg - заряд затвора | 11.5 nC, 8.9 nC |
| размер фабричной упаковки | 2000 |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 60 mOhms, 115 mOhms |
| серия | DMC6070 |
| supplier package | PowerDI EP |
| технология | Si |
| типичное время задержки при включении | 9.6 ns, 7.6 ns |
| типичное время задержки выключения | 61 ns, 79.8 ns |
| тип продукта | MOSFET |
| тип транзистора | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| торговая марка | Diodes Incorporated |
| typical fall time (ns) | 21 |
| typical gate charge @ 10v (nc) | 11.5 |
| typical gate charge @ vgs (nc) | 11.5 10V|5.2 4.5V |
| typical input capacitance @ vds (pf) | 731 20V |
| typical rise time (ns) | 11 |
| typical turn-off delay time (ns) | 61 |
| typical turn-on delay time (ns) | 9.6 |
| упаковка / блок | PowerDI3333-8 |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V, 3 V |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| время нарастания | 11 ns, 11.6 ns |
| время спада | 21 ns, 37.8 ns |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
