Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFETМОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS: 25V-30V

Подробное описание

Вес и габариты
continuous drain current (id) @ 25в°c	1.1A,700mA
id - непрерывный ток утечки	1.1 A, 700 mA
канальный режим	Enhancement

32 ₽

– +

Бонус: 0.64 !

Бонусная программа

Итого: 32 ₽

Купить

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFETМОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS: 25V-30V

Вес и габариты
continuous drain current (id) @ 25в°c	1.1A,700mA
id - непрерывный ток утечки	1.1 A, 700 mA
канальный режим	Enhancement
категория продукта	МОП-транзистор
количество каналов	2 Channel
конфигурация	Dual
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
pd - рассеивание мощности	810 mW
подкатегория	MOSFETs
полярность транзистора	N-Channel, P-Channel
power dissipation-max (ta=25в°c)	390mW
qg - заряд затвора	0.9 nC
размер фабричной упаковки	3000
rds on - drain-source resistance	460mО© @ 200mA,4.5V
rds вкл - сопротивление сток-исток	460 mOhms, 1 Ohms
технология	Si
тип продукта	MOSFET
торговая марка	Diodes Incorporated
transistor polarity	N & P Channel
упаковка / блок	DFN-1310-6
vds - drain-source breakdown voltage	30V
vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
vgs - gate-source voltage	950mV @ 250uA
vgs - напряжение затвор-исток	8 V, + 8 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	450 mV, 1.1 V
вид монтажа	SMD/SMT

Отзывов нет

Кнопки

DMC3730UFL3-7