DMC3028LSDXQ-13, N/P-CH 30V 7,2A/7,6A SO-8

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: DMC3028LSDXQ-13
Полевые МОП-транзисторы Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств...
Вес и габариты
channel mode:Enhancement
configuration:Dual
factory pack quantity: factory pack quantity:2500
120
+
Бонус: 2.4 !
Бонусная программа
Итого: 120
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полевые МОП-транзисторы Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Вес и габариты
channel mode:Enhancement
configuration:Dual
factory pack quantity: factory pack quantity:2500
fall time:5.3 ns, 40.4 ns
id - continuous drain current:7.2 A, 7.6 A
manufacturer:Diodes Incorporated
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
number of channels:2 Channel
package/case:SOIC-8
packaging:Reel, Cut Tape, MouseReel
pd - power dissipation:1.5 W
product category:MOSFET
product type:MOSFET
qg - gate charge:13.2 nC, 22 nC
qualification:AEC-Q101
rds on - drain-source resistance:35 mOhms, 41 mOhms
rise time:4.4 ns, 17.1 ns
series:DMC3028
subcategory:MOSFETs
technology:Si
transistor polarity:N-Channel, P-Channel
typical turn-off delay time:22.3 ns, 60.5 ns
typical turn-on delay time:3.3 ns, 9.7 ns
vds - drain-source breakdown voltage:30 V
vgs - gate-source voltage:-20 V, +20 V
vgs th - gate-source threshold voltage:1 V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль