DMC3021LSDQ-13, MOSFET MOSFET BVDSS 30V Comp Pair

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: DMC3021LSDQ-13
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET Полевые МОП-транзисторы Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления...
Вес и габариты
channel mode:Enhancement
configuration:Dual
factory pack quantity: factory pack quantity:2500
150
+
Бонус: 3 !
Бонусная программа
Итого: 150
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET Полевые МОП-транзисторы Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Вес и габариты
channel mode:Enhancement
configuration:Dual
factory pack quantity: factory pack quantity:2500
fall time:8.55 ns, 22.2 ns
forward transconductance - min:8.1 S, 7 S
id - continuous drain current:8.5 A, 7 A
manufacturer:Diodes Incorporated
maximum operating temperature:+100 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
number of channels:2 Channel
package/case:SOIC-8
packaging:Reel, Cut Tape, MouseReel
pd - power dissipation:2.5 W
product category:MOSFET
product type:MOSFET
qg - gate charge:16.1 nC, 21.1 nC
qualification:AEC-Q101
rds on - drain-source resistance:21 mOhms, 39 mOhms
rise time:4.5 ns, 6.5 ns
series:DMC302
subcategory:MOSFETs
technology:Si
transistor polarity:N-Channel, P-Channel
transistor type:1 N-Channel, 1 P-Channel
typical turn-off delay time:26.3 ns, 50.1 ns
typical turn-on delay time:5 ns, 10.1 ns
vds - drain-source breakdown voltage:30 V
вес, г0.75
vgs - gate-source voltage:-20 V, +20 V
vgs th - gate-source threshold voltage:2.1 V, 2.2 V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль