Name: DF23MR12W1M1B11BPSA1, Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Канал, 25 А, 1.2 кВ, 0.045 Ом, Module
SKU: DF23MR12W1M1B11BPSA1

Дискретные полупроводниковые модули

Подробное описание

Вес и габариты
base product number	DF23MR12 ->
current - continuous drain (id) @ 25в°c	25A (Tj)
drain to source voltage (vdss)	1200V

15 710 ₽

– +

Бонус: 314.2 !

Бонусная программа

Итого: 15 710 ₽

Купить

Дискретные полупроводниковые модули

Вес и габариты
base product number	DF23MR12 ->
current - continuous drain (id) @ 25в°c	25A (Tj)
drain to source voltage (vdss)	1200V
другие названия товара №	SP003094744
eccn	EAR99
fet feature	Silicon Carbide (SiC)
fet type	2 N-Channel (Dual)
gate charge (qg) (max) @ vgs	62nC @ 15V
htsus	8541.21.0095
input capacitance (ciss) (max) @ vds	1840pF @ 800V
категория продукта	Дискретные полупроводниковые модули
moisture sensitivity level (msl)	Not Applicable
mounting type	Chassis Mount
operating temperature	-40В°C ~ 150В°C (TJ)
package	Tray
package / case	Module
подкатегория	Discrete Semiconductor Modules
power - max	20mW
размер фабричной упаковки	24
rds on (max) @ id, vgs	45mOhm @ 25A, 15V (Typ)
reach status	REACH Unaffected
rohs status	ROHS3 Compliant
series	CoolSiCв„ў+ ->
supplier device package	AG-EASY1BM-2
тип продукта	Discrete Semiconductor Modules
торговая марка	Infineon Technologies
упаковка	Tray
вес, г	240
vgs(th) (max) @ id	5.55V @ 10mA

Отзывов нет

Кнопки