D45H8G, Транзистор PNP 60В 10A 50Вт B 40 TO220
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: D45H8G
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT 10A 60V 50W PNP
| Основные | |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Вес и габариты | |
| automotive | No |
| число контактов | 3 |
| configuration | Single |
| длина | 10.28мм |
| eccn (us) | EAR99 |
| eu rohs | Compliant with Exemption |
| Высота | 9.28 мм |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| количество элементов на ис | 1 |
| коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 60 |
| конфигурация | Single |
| lead shape | Through Hole |
| максимальная рабочая частота | 40 МГц |
| максимальная рабочая температура | +150 °C |
| максимальное напряжение эмиттер-база | 5 В |
| максимальное напряжение к-э (коллектор-эмиттер) | 60 В |
| максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | 1,5 В |
| максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1 В |
| максимальное рассеяние мощности | 2 Вт |
| максимальный постоянный ток коллектора | 10 A |
| максимальный пост. ток коллектора | 10 A |
| material | Si |
| maximum base emitter saturation voltage (v) | 1.5 0.8A 8A |
| maximum collector-emitter saturation voltage (v) | 1 0.4A 8A |
| maximum collector-emitter voltage (v) | 60 |
| maximum dc collector current (a) | 10 |
| maximum emitter base voltage (v) | 5 |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| maximum power dissipation (mw) | 2000 |
| maximum transition frequency (mhz) | 40(Typ) |
| минимальная рабочая температура | -55 °C |
| минимальный коэффициент усиления по постоянному току | -40 |
| minimum dc current gain | 60 2A 1V|40 4A 1V |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| mounting | Through Hole |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 5 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo) | 60 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 60 V |
| напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1 V |
| непрерывный коллекторный ток | 10 A |
| number of elements per chip | 1 |
| operating junction temperature (°c) | -55 to 150 |
| packaging | Rail |
| part status | Active |
| pcb changed | 3 |
| pd - рассеивание мощности | 70 W |
| pin count | 3 |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | PNP |
| ppap | No |
| product category | Bipolar Power |
| произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 40 MHz |
| размеры | 9.28 x 10.28 x 4.82мм |
| размер фабричной упаковки | 50 |
| серия | D45H8 |
| standard package name | TO-220 |
| supplier package | TO-220AB |
| tab | Tab |
| тип корпуса | TO-220AB |
| тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| тип транзистора | PNP |
| торговая марка | ON Semiconductor |
| transistor configuration | Одинарный |
| type | PNP |
| упаковка | Tube |
| упаковка / блок | TO-220-3 |
| вес, г | 2.73 |
| вид монтажа | Through Hole |
| Ширина | 4.82 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26