CXDM1002N TR PBFREE

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleN-канал 100V 2A (Ta) 1,2W (Ta) поверхностный монтаж SOT-89
Вес и габариты
current - continuous drain (id) @ 25в°c2A (Ta)
drain to source voltage (vdss)100V
drive voltage (max rds on, min rds on)4.5V, 10V
250
+
Бонус: 5 !
Бонусная программа
Итого: 250
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleN-канал 100V 2A (Ta) 1,2W (Ta) поверхностный монтаж SOT-89
Вес и габариты
current - continuous drain (id) @ 25в°c2A (Ta)
drain to source voltage (vdss)100V
drive voltage (max rds on, min rds on)4.5V, 10V
eccnEAR99
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs6nC @ 5V
htsus8541.29.0095
id - непрерывный ток утечки2 A
input capacitance (ciss) (max) @ vds550pF @ 25V
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-243AA
pd - рассеивание мощности1.2 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
power dissipation (max)1.2W (Ta)
qg - заряд затвора6 nC
размер фабричной упаковки1000
rds on (max) @ id, vgs300mOhm @ 2A, 10V
rds вкл - сопротивление сток-исток140 mOhms
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
supplier device packageSOT-89
technologyMOSFET (Metal Oxide)
технологияSi
тип продуктаMOSFET
торговая маркаCentral Semiconductor
упаковка / блокSOT-89-3
vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
vgs (max)20V
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs(th) (max) @ id2.5V @ 250ВµA
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.5 V
вид монтажаSMD/SMT
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль