CSD87503Q3ET

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 30-V Dual N-Channel МОП-транзистор
Основные
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
540
+
Бонус: 10.8 !
Бонусная программа
Итого: 540
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 30-V Dual N-Channel МОП-транзистор
Основные
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки250
тип продуктаMOSFET
торговая маркаTexas Instruments
упаковка / блокVSON-8
серияCSD87503Q3E
время нарастания40 ns, 40 ns
время спада8 ns, 8 ns
коммерческое обозначениеNexFET
pd - рассеивание мощности15.6 W
количество каналов2 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияDual
id - непрерывный ток утечки10 A
qg - заряд затвора42.8 nC, 42.8 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток17.3 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.3 V
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.24 S, 24 S
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора2 N-Channel
типичное время задержки выключения25 ns, 25 ns
типичное время задержки при включении10 ns, 10 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль