CSD86336Q3DT

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - ArraysMosfet Array 2, N-канал (полумост), 25 В, 20 А (Ta), 6 Вт, поверхностный монтаж, 8-VSON (3,3x3,3)
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-55В°C ~ 125В°C
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
630
+
Бонус: 12.6 !
Бонусная программа
Итого: 630
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - ArraysMosfet Array 2, N-канал (полумост), 25 В, 20 А (Ta), 6 Вт, поверхностный монтаж, 8-VSON (3,3x3,3)
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-55В°C ~ 125В°C
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case8-PowerTDFN
rohs statusROHS3 Compliant
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
reach statusREACH Affected
supplier device package8-VSON (3.3x3.3)
seriesNexFETв„ў ->
base product numberCSD86336Q3 ->
Вес и габариты
manufacturer product pagehttp://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp
current - continuous drain (id) @ 25в°c20A (Ta)
drain to source voltage (vdss)25V
fet type2 N-Channel (Half Bridge)
gate charge (qg) (max) @ vgs3.8nC @ 45V, 7.4nC @ 45V
input capacitance (ciss) (max) @ vds494pF @ 12.5V, 970pF @ 12.5V
rds on (max) @ id, vgs9.1mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
vgs(th) (max) @ id1.9V @ 250ВµA, 1.6V @ 250ВµA
power - max6W
fet featureLogic Level Gate, 5V Drive
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль