CSD83325LT
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор
| Основные | |
| вес, г | 0.0015 |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting type | Surface Mount |
| operating temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| package / case | 6-XFBGA |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| подкатегория | MOSFETs |
| продукт | Power MOSFETs |
| размер фабричной упаковки | 250 |
| тип продукта | MOSFET |
| торговая марка | Texas Instruments |
| упаковка / блок | BGA-6 |
| eccn | EAR99 |
| htsus | 8541.29.0095 |
| серия | CSD83325L |
| reach status | REACH Unaffected |
| supplier device package | 6-PicoStar |
| длина | 2.2 mm |
| время нарастания | 353 ns |
| время спада | 589 ns |
| коммерческое обозначение | NexFET |
| series | NexFETв„ў -> |
| pd - рассеивание мощности | 2.3 W |
| количество каналов | 2 Channel |
| base product number | CSD83325 -> |
| Вес и габариты | |
| технология | Si |
| конфигурация | Dual |
| manufacturer product page | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp |
| id - непрерывный ток утечки | 8 A |
| qg - заряд затвора | 8.4 nC |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 5.9 mOhms |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 12 V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 10 V, + 10 V |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 950 mV |
| канальный режим | Enhancement |
| крутизна характеристики прямой передачи - мин. | 36 S |
| полярность транзистора | N-Channel |
| тип транзистора | 2 N-Channel |
| типичное время задержки выключения | 711 ns |
| типичное время задержки при включении | 205 ns |
| drain to source voltage (vdss) | 12V |
| fet type | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| gate charge (qg) (max) @ vgs | 10.9nC @ 4.5V |
| vgs(th) (max) @ id | 1.25V @ 250ВµA |
| power - max | 2.3W |
| fet feature | Standard |
| Высота | 0.2 мм |
| Ширина | 1.15 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]](/wa-data/public/shop/products/34/17/211734/images/243267/243267.300x0.jpg "NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]")
![KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]](/wa-data/public/shop/products/33/37/123733/images/155187/155187.300x0.jpg "KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]")
