CSD25481F4T, MOSFET 20V, PCh FemtoFET MOSFET

Подробное описание

Основные
вес, г	0.01
package / case	PICOSTAR-3
type	FemtoFET MOSFET
minimum operating temperature	-55 C

Все характеристики

270 ₽

– +

Бонус: 5.4 !

Бонусная программа

Итого: 270 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFETFemtoFET Power MOSFETTexas Instruments FemtoFET Power MOSFET имеют сверхмалые габариты (размер корпуса 0402) и сверхнизкое сопротивление (на 70 % меньше, чем у конкурентов). Эти полевые МОП-транзисторы имеют сверхнизкие характеристики Qg, Qgd и оптимизированный рейтинг электростатического разряда. Они доступны в пакете массива наземной сети (LGA). Этот пакет максимально увеличивает содержание кремния, что делает их идеальными для приложений с ограниченным пространством. Эти мощные полевые МОП-транзисторы обеспечивают низкое рассеивание мощности и низкие потери при переключении для улучшения характеристик при малой нагрузке. Типичными приложениями для этих устройств являются портативные, мобильные устройства, устройства переключения нагрузки, устройства общего назначения и аккумуляторы.

Основные
вес, г	0.01
package / case	PICOSTAR-3
type	FemtoFET MOSFET
minimum operating temperature	-55 C
factory pack quantity	250
manufacturer	Texas Instruments
maximum operating temperature	+150 C
mounting style	SMD/SMT
packaging	Cut Tape or Reel
product category	MOSFET
product type	MOSFET
series	CSD25481F4
subcategory	MOSFETs
configuration	Single
fall time	6.7 ns
rise time	3.6 ns
factory pack quantity: factory pack quantity:	250
manufacturer:	Texas Instruments
maximum operating temperature:	+150 C
minimum operating temperature:	-55 C
mounting style:	SMD/SMT
product category:	MOSFET
product type:	MOSFET
series:	CSD25481F4
subcategory:	MOSFETs
type:	FemtoFET MOSFET
packaging:	Reel, Cut Tape, MouseReel
number of channels	1 Channel
Вес и габариты
package/case:	PICOSTAR-3
tradename:	FemtoFET
tradename	FemtoFET
pd - power dissipation:	500 mW
technology	Si
number of channels:	1 Channel
pd - power dissipation	500 mW(1/2 W)
technology:	Si
configuration:	Single
channel mode	Enhancement
rds on - drain-source resistance	800 mOhms
transistor polarity	P-Channel
vds - drain-source breakdown voltage	20 V
vgs - gate-source voltage	12 V
id - continuous drain current	2.5 A
typical turn-on delay time	4.1 ns
typical turn-off delay time	16.9 ns
forward transconductance - min	3.3 S
qg - gate charge	913 pC
transistor type	1 P-Channel
vgs th - gate-source threshold voltage	950 mV
channel mode:	Enhancement
id - continuous drain current:	2.5 A
qg - gate charge:	913 pC
rds on - drain-source resistance:	800 mOhms
transistor polarity:	P-Channel
transistor type:	1 P-Channel
vds - drain-source breakdown voltage:	20 V
vgs - gate-source voltage:	-12 V, +12 V
vgs th - gate-source threshold voltage:	950 mV
typical turn-off delay time:	16.9 ns
typical turn-on delay time:	4.1 ns
forward transconductance - min:	3.3 S
fall time:	6.7 ns
rise time:	3.6 ns

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки