МОП-транзистор -8V, P channel NexFET power МОП-транзистор, single LGA 1.2 mm x 1.2 mm, 9.9 mOhm, gate ESD protection 4-PICOSTAR -55 to 150

Подробное описание

Основные
вид монтажа:	SMD/SMT
категория продукта:	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура:	+ 150 C
минимальная рабочая температура:	- 55 C

Все характеристики

180 ₽

– +

Бонус: 3.6 !

Бонусная программа

Итого: 180 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

МОП-транзистор -8V, P channel NexFET power МОП-транзистор, single LGA 1.2 mm x 1.2 mm, 9.9 mOhm, gate ESD protection 4-PICOSTAR -55 to 150

Основные
вид монтажа:	SMD/SMT
категория продукта:	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура:	+ 150 C
минимальная рабочая температура:	- 55 C
подкатегория:	MOSFETs
производитель:	Texas Instruments
серия:	CSD22205L
тип продукта:	MOSFET
торговая марка:	Texas Instruments
размер фабричной упаковки:	3000
упаковка / блок:	PICOSTAR-4
время нарастания:	14 ns
время спада:	32 ns
Вес и габариты
коммерческое обозначение:	NexFET
pd - рассеивание мощности:	800 mW
количество каналов:	1 Channel
технология:	Si
конфигурация:	Single
id - непрерывный ток утечки:	7.4 A
qg - заряд затвора:	8.5 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток:	40 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток:	8 V
vgs - напряжение затвор-исток:	- 6 V, + 6 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :	1.05 V
канальный режим:	Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.:	10.4 S
полярность транзистора:	P-Channel
тип транзистора:	1 P-Channel
типичное время задержки выключения:	70 ns
типичное время задержки при включении:	30 ns

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки