Вес и габариты
rds on - drain-source resistance	15.1mО© @ 10A,10V
transistor polarity	N Channel
vds - drain-source breakdown voltage	100V

350 ₽

– +

Бонус: 7 !

Бонусная программа

Итого: 350 ₽

Купить

Вес и габариты
rds on - drain-source resistance	15.1mО© @ 10A,10V
transistor polarity	N Channel
vds - drain-source breakdown voltage	100V
vgs - gate-source voltage	3.4V @ 250uA
continuous drain current (id) @ 25в°c	50A
power dissipation-max (ta=25в°c)	3.2W

Отзывов нет

Кнопки

Быстрый просмотр

Быстрый просмотр

Быстрый просмотр

CSD19534Q5A, N-Channel MOSFET, 50 A, 100 V, 8-Pin VSONP CSD19534Q5A