CSD17308Q3
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Транзисторы и сборки MOSFETкол-во в упаковке: 2500, корпус: TDFN8, АБМОП-транзистор 30V NCh NexFET Pwr МОП-транзистор
| Основные | |
| вес, г | 0.004 |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| подкатегория | MOSFETs |
| размер фабричной упаковки | 2500 |
| тип продукта | MOSFET |
| торговая марка | Texas Instruments |
| упаковка / блок | VSON-Clip-8 |
| серия | CSD17308Q3 |
| длина | 3.3 mm |
| время нарастания | 5.7 ns |
| время спада | 2.3 ns |
| коммерческое обозначение | NexFET |
| pd - рассеивание мощности | 28 W |
| количество каналов | 1 Channel |
| средства разработки | BQ500211AEVM-210 |
| Вес и габариты | |
| технология | Si |
| конфигурация | Single |
| id - непрерывный ток утечки | 50 A |
| qg - заряд затвора | 3.9 nC |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 10.3 mOhms |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 8 V, + 8 V |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 900 mV |
| канальный режим | Enhancement |
| полярность транзистора | N-Channel |
| тип транзистора | 1 N-Channel Power MOSFET |
| типичное время задержки выключения | 9.9 ns |
| типичное время задержки при включении | 4.5 ns |
| rds on - drain-source resistance | 10.3mО© @ 10A,8V |
| transistor polarity | N Channel |
| vds - drain-source breakdown voltage | 30V |
| vgs - gate-source voltage | 1.8V @ 250uA |
| continuous drain current (id) @ 25в°c | 14A |
| power dissipation-max (ta=25в°c) | 2.7W |
| Высота | 1 мм |
| Ширина | 3.3 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]](/wa-data/public/shop/products/34/17/211734/images/243267/243267.300x0.jpg "NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]")
![IRF9640SPBF, Транзистор, P-канал 200В 11А [D2-Pak]](/wa-data/public/shop/products/85/45/204585/images/237723/237723.300x0.jpg "IRF9640SPBF, Транзистор, P-канал 200В 11А [D2-Pak]")
![IRLL024ZTRPBF, Транзистор, MOSFET N-CH Si 55V 5A Automotive [SOT-223]](/wa-data/public/shop/products/52/34/193452/images/228431/228431.300x0.jpg "IRLL024ZTRPBF, Транзистор, MOSFET N-CH Si 55V 5A Automotive [SOT-223]")
![KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]](/wa-data/public/shop/products/33/37/123733/images/155187/155187.300x0.jpg "KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]")
