CSD16325Q5

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор N-Channel NexFET Power МОП-транзистор
Основные
вес, г0.118
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
680
+
Бонус: 13.6 !
Бонусная программа
Итого: 680
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор N-Channel NexFET Power МОП-транзистор
Основные
вес, г0.118
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки2500
тип продуктаMOSFET
торговая маркаTexas Instruments
упаковка / блокVSON-Clip-8
серияCSD16325Q5
длина6 mm
время нарастания16 ns
время спада12 ns
коммерческое обозначениеNexFET
pd - рассеивание мощности3.1 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки60 A
qg - заряд затвора18 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток2.2 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток25 V
vgs - напряжение затвор-исток10 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.1 V
крутизна характеристики прямой передачи - мин.159 S
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения32 ns
типичное время задержки при включении10.5 ns
Высота 1 мм
Ширина5 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль