CSD13306WT

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleN-канал 12 В, 3,5 А (зад.) 1,9 Вт (зад.), Поверхностный монтаж, 6-DSBGA (1x1,5)
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
360
+
Бонус: 7.2 !
Бонусная программа
Итого: 360
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleN-канал 12 В, 3,5 А (зад.) 1,9 Вт (зад.), Поверхностный монтаж, 6-DSBGA (1x1,5)
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case6-UFBGA, DSBGA
rohs statusROHS3 Compliant
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
reach statusREACH Unaffected
supplier device package6-DSBGA (1x1.5)
seriesNexFETв„ў ->
base product numberCSD13306 ->
Вес и габариты
technologyMOSFET (Metal Oxide)
manufacturer product pagehttp://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp
current - continuous drain (id) @ 25в°c3.5A (Ta)
drain to source voltage (vdss)12V
drive voltage (max rds on, min rds on)2.5V, 4.5V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs11.2nC @ 4.5V
input capacitance (ciss) (max) @ vds1370pF @ 6V
power dissipation (max)1.9W (Ta)
rds on (max) @ id, vgs10.2mOhm @ 1.5A, 4.5V
vgs (max)В±10V
vgs(th) (max) @ id1.3V @ 250ВµA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль