CRST045N10N

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Вес и габариты
continuous drain current (id) @ 25в°c120A(Tc)
power dissipation-max (ta=25в°c)227W(Tc)
rds on - drain-source resistance4.5mО© @ 50A,10V
180
+
Бонус: 3.6 !
Бонусная программа
Итого: 180
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Вес и габариты
continuous drain current (id) @ 25в°c120A(Tc)
power dissipation-max (ta=25в°c)227W(Tc)
rds on - drain-source resistance4.5mО© @ 50A,10V
transistor polarityN Channel
vds - drain-source breakdown voltage100V
vgs - gate-source voltage4V @ 250uA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль