CMS45P03H8-HF

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleP-канал 30 В, 9,6 А (Ta), 45 А (Tc) 2 Вт (Ta), 45 Вт (Tc) Монтаж на поверхность DFN5x6 (PR-PAK)
Вес и габариты
current - continuous drain (id) @ 25в°c9.6A (Ta), 45A (Tc)
drain to source voltage (vdss)30V
drive voltage (max rds on, min rds on)4.5V, 10V
220
+
Бонус: 4.4 !
Бонусная программа
Итого: 220
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleP-канал 30 В, 9,6 А (Ta), 45 А (Tc) 2 Вт (Ta), 45 Вт (Tc) Монтаж на поверхность DFN5x6 (PR-PAK)
Вес и габариты
current - continuous drain (id) @ 25в°c9.6A (Ta), 45A (Tc)
drain to source voltage (vdss)30V
drive voltage (max rds on, min rds on)4.5V, 10V
eccnEAR99
fet typeP-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs22nC @ 4.5V
htsus8541.29.0095
input capacitance (ciss) (max) @ vds2215pF @ 15V
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case8-PowerTDFN
power dissipation (max)2W (Ta), 45W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs15mOhm @ 30A, 10V
rohs statusROHS3 Compliant
supplier device packageDFN5x6 (PR-PAK)
technologyMOSFET (Metal Oxide)
vgs (max)В±20V
vgs(th) (max) @ id2.5V @ 250ВµA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль