Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETsSilicon Carbide power MOSFET modules from Wolfspeed, the power division of Cree Inc. These SiC MOSFET modules are housed in industrial standard packages and are available in Half-bridge (2 MOSFETs) and 3-phase (6 MOSFETs) formats; they also include SiC reverse recovery diodes.

Подробное описание

Основные
mounting type	Screw Mount
package type	Half Bridge
minimum operating temperature	-40 C
width	61.4mm

Все характеристики

98 130 ₽

– +

Бонус: 1962.6 !

Бонусная программа

Итого: 98 130 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Основные
mounting type	Screw Mount
package type	Half Bridge
minimum operating temperature	-40 C
width	61.4mm
pin count	7
maximum operating temperature	+150 C
Вес и габариты
number of elements per chip	2
channel type	N
transistor configuration	Series
maximum drain source voltage	1200 V
maximum gate source voltage	-10 V, +25 V
maximum continuous drain current	193 A
transistor material	SiC
maximum gate threshold voltage	2.6V
maximum drain source resistance	30 mΩ
channel mode	Enhancement
minimum gate threshold voltage	1.8V
maximum power dissipation	925 W
typical gate charge @ vgs	378 nC 20 V
forward diode voltage	2.4V

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

C этим товаром покупают

Быстрый просмотр

IRF9530NPBF, Транзистор, P-канал 100В 14А [TO-220AB]

Быстрый просмотр

2SB1695TL, Bipolar Transistors - BJT PNP 30V 1.5A

Быстрый просмотр

CAS120M12BM2, Dual SiC N-Channel MOSFET, 193 A, 1200 V, 7-Pin Half Bridge CAS120M12BM2

C этим товаром покупают

Похожие товары Сравнить все