Wolfspeed introduces its latest breakthrough in SiC power device technology with the industry’s only 1kV SiC MOSFET in a newly optimized package suitable for fast switching devices.

Подробное описание

Основные
mounting type	Surface Mount
package type	TO-263-7
minimum operating temperature	-55 C
width	9.12mm

Все характеристики

3 110 ₽

– +

Бонус: 62.2 !

Бонусная программа

Итого: 3 110 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Wolfspeed introduces its latest breakthrough in SiC power device technology with the industry’s only 1kV SiC MOSFET in a newly optimized package suitable for fast switching devices.

Основные
mounting type	Surface Mount
package type	TO-263-7
minimum operating temperature	-55 C
width	9.12mm
pin count	7
maximum operating temperature	+150 C
series	C3M
Вес и габариты
number of elements per chip	1
channel type	N
transistor configuration	Single
maximum drain source voltage	1000 V
maximum gate source voltage	+15 V, +9 V
maximum continuous drain current	22 A
transistor material	SiC
maximum gate threshold voltage	3.5V
maximum drain source resistance	170 mΩ
channel mode	Enhancement
minimum gate threshold voltage	1.8V
maximum power dissipation	83 W
typical gate charge @ vgs	21.5 4/+15 V
forward diode voltage	4.8V

0.0

общая оценка

Всего 0 отзывов

0 отзывов

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

C3M0120100J, SiC N-Channel MOSFET, 22 A, 1000 V, 7-Pin D2PAK C3M0120100J

Похожие товары Сравнить все