C3M0120100J, SiC N-Channel MOSFET, 22 A, 1000 V, 7-Pin D2PAK C3M0120100J
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:C3M0120100J
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
Wolfspeed introduces its latest breakthrough in SiC power device technology with the industry’s only 1kV SiC MOSFET in a newly optimized package suitable for fast switching devices.
Основные
mounting type
Surface Mount
package type
TO-263-7
minimum operating temperature
-55 C
width
9.12mm
pin count
7
maximum operating temperature
+150 C
series
C3M
Вес и габариты
number of elements per chip
1
channel type
N
transistor configuration
Single
maximum drain source voltage
1000 V
maximum gate source voltage
+15 V, +9 V
maximum continuous drain current
22 A
transistor material
SiC
maximum gate threshold voltage
3.5V
maximum drain source resistance
170 mΩ
channel mode
Enhancement
minimum gate threshold voltage
1.8V
maximum power dissipation
83 W
typical gate charge @ vgs
21.5 4/+15 V
forward diode voltage
4.8V
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26