Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETsNew C3M Silicon Carbide (SiC) MOSFET technology Minimum of 1000 V Drain-Source Breakdown Voltage across the entire operating temperature range

Подробное описание

Основные
mounting type	Through Hole
package type	TO-247-4
minimum operating temperature	-55 C
width	5.21mm

Все характеристики

3 980 ₽

– +

Бонус: 79.6 !

Бонусная программа

Итого: 3 980 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETsNew C3M Silicon Carbide (SiC) MOSFET technology Minimum of 1000 V Drain-Source Breakdown Voltage across the entire operating temperature range

Основные
mounting type	Through Hole
package type	TO-247-4
minimum operating temperature	-55 C
width	5.21mm
pin count	4
maximum operating temperature	+150 C
series	C3M
Вес и габариты
number of elements per chip	1
channel type	N
maximum drain source voltage	1000 V
maximum gate source voltage	-8 V, +19 V
maximum continuous drain current	35 A
transistor material	SiC
maximum gate threshold voltage	3.5V
maximum drain source resistance	90 mΩ
channel mode	Enhancement
minimum gate threshold voltage	1.8V
maximum power dissipation	113.5 W
typical gate charge @ vgs	35 nC 15 V, 35 nC 4 V
forward diode voltage	4.8V

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки