C3M0065090J, Транзистор N-MOSFET, полевой, 900В, 35А, 113Вт, D2PAK-7, SiC

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: C3M0065090J
Основные
вес, г1.38
максимальная рабочая температура150 C
количество выводов7вывод(-ов)
Вес и габариты
3 590
+
Бонус: 71.8 !
Бонусная программа
Итого: 3 590
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Основные
вес, г1.38
максимальная рабочая температура150 C
количество выводов7вывод(-ов)
Вес и габариты
channel typeN Channel
рассеиваемая мощность113Вт
power dissipation113Вт
напряжение истока-стока vds900В
полярность транзистораN Канал
стиль корпуса транзистораTO-263(D2PAK)
непрерывный ток стока35А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)0.065Ом
напряжение измерения rds(on)15В
пороговое напряжение vgs2.1В
drain source on state resistance0.065Ом
конфигурация моп-транзистораSingle
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль