C3M0060065J, 650V silicon carbide MOSFET technology optimized for high performance power electronics

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: C3M0060065J
Высокомощные карбидокремниевые полевые МОП-транзисторы на 650 В Высокомощные карбидокремниевые полевые МОП-транзисторы Wolfspeed / Cree на 650 В характеризуются низкими сопротивлениями в открытом состоянии и коммутационными потерями, что обеспечивает максимальные уровни КПД и плотности мощности. Полевые МОП-транзисторы Wolfspeed / Cree номиналом 650 В оптимизированы для применения в высокопроизводительных системах силовой электроники, включая серверные источники питания, системы зарядки электромобилей,...
Основные
вид монтажа:SMD/SMT
категория продукта:МОП-транзистор
максимальная рабочая температура:+175 C
минимальная рабочая температура:-40 c
1 950
+
Бонус: 39 !
Бонусная программа
Итого: 1 950
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Высокомощные карбидокремниевые полевые МОП-транзисторы на 650 В Высокомощные карбидокремниевые полевые МОП-транзисторы Wolfspeed / Cree на 650 В характеризуются низкими сопротивлениями в открытом состоянии и коммутационными потерями, что обеспечивает максимальные уровни КПД и плотности мощности. Полевые МОП-транзисторы Wolfspeed / Cree номиналом 650 В оптимизированы для применения в высокопроизводительных системах силовой электроники, включая серверные источники питания, системы зарядки электромобилей, системы накопления/хранения энергии, солнечные (фотоэлектрические) инверторы, источники бесперебойного питания и системы управления аккумуляторными батареями.
Основные
вид монтажа:SMD/SMT
категория продукта:МОП-транзистор
максимальная рабочая температура:+175 C
минимальная рабочая температура:-40 c
подкатегория:MOSFETs
продукт:MOSFET
производитель:Wolfspeed
размер фабричной упаковки: размер фабричной упаковки:50
тип продукта:MOSFET
торговая марка:Wolfspeed
упаковка:Tube
упаковка / блок:TO-263-7
время нарастания:8 ns
время спада:6 ns
Вес и габариты
чувствительный к влажности:Yes
pd - рассеивание мощности:136 W
количество каналов:1 Channel
технология:SiC
конфигурация:Single
id - непрерывный ток утечки:36 A
qg - заряд затвора:46 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток:60 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток:650 V
vgs - напряжение затвор-исток:-4 V, +15 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :3.6 V
канальный режим:Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.:10 S
полярность транзистора:N-Channel
тип транзистора:1 N-Channel
типичное время задержки выключения:17 ns
типичное время задержки при включении:9 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль