C2M0025120D, SiC N-Channel MOSFET, 90 A, 1200 V, 3-Pin TO-247 C2M0025120D

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: C2M0025120D
MOSFETs Силовые полевые МОП-транзисторы из карбида кремния Wolfspeed Wolfspeed Z-Fet ™, C2M ™, amp; Силовые полевые МОП-транзисторы из карбида кремния C3M ™. Линейка SiC MOSFET второго поколения от энергетического подразделения Cree Wolfspeed, которые обеспечивают лучшую в отрасли плотность мощности и эффективность переключения. Эти устройства с низкой емкостью допускают более высокие частоты переключения и снижают требования к охлаждению, повышая общую эффективность работы системы.
Информация о производителе
ПроизводительWolfspeed
Основные
вес, г5
максимальная рабочая температура+150 °C
минимальная рабочая температура-55 °C
17 260
+
Бонус: 345.2 !
Бонусная программа
Итого: 17 260
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
MOSFETs Силовые полевые МОП-транзисторы из карбида кремния Wolfspeed Wolfspeed Z-Fet ™, C2M ™, amp; Силовые полевые МОП-транзисторы из карбида кремния C3M ™. Линейка SiC MOSFET второго поколения от энергетического подразделения Cree Wolfspeed, которые обеспечивают лучшую в отрасли плотность мощности и эффективность переключения. Эти устройства с низкой емкостью допускают более высокие частоты переключения и снижают требования к охлаждению, повышая общую эффективность работы системы.
Информация о производителе
ПроизводительWolfspeed
Основные
вес, г5
максимальная рабочая температура+150 °C
минимальная рабочая температура-55 °C
длина16.13мм
тип корпусаTO-247
тип монтажаМонтаж на плату в отверстия
число контактов3
размеры16.13 x 21.1 x 5.21мм
Вес и габариты
количество элементов на ис1
максимальное рассеяние мощности463 Вт
тип каналаN
transistor configurationОдинарный
типичное время задержки выключения29 нс
максимальное сопротивление сток-исток34 мΩ
максимальное напряжение затвор-исток+25 В
maximum gate threshold voltage4V
максимальное напряжение сток-исток1200 В
типичный заряд затвора при vgs161 нКл при 20 В
номер каналаПоднятие
максимальный непрерывный ток стока90 A
материал транзистораSiC
типичное время задержки включения14 нс
minimum gate threshold voltage2V
категорияМощный МОП-транзистор
типичная входная емкость при vds2788 пФ при 1000 В
прямое напряжение диода3.3V
прямая активная межэлектродная проводимость23.6S
Высота 5.21 мм
Ширина21.1 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль