Name: BSZ520N15NS3GATMA1
Brand: Infineon

Полевые МОП-транзисторы Infineon OptiMOS ™ 3, 100 В и более

Подробное описание

350 ₽

– +

Бонус: 7 !

Бонусная программа

Итого: 350 ₽

Купить

Полевые МОП-транзисторы Infineon OptiMOS ™ 3, 100 В и более

Основные
Производитель	Infineon
Вес и габариты
число контактов	8
длина	3.4мм
Высота	1.1 мм
количество элементов на ис	1
максимальная рабочая температура	+150 °C
максимальное напряжение сток-исток	150 В
максимальное напряжение затвор-исток	-20 В, +20 В
максимальное рассеяние мощности	57 Вт
максимальное сопротивление сток-исток	52 мΩ
максимальный непрерывный ток стока	21 А
материал транзистора	SI
maximum gate threshold voltage	4V
минимальная рабочая температура	-55 °C
minimum gate threshold voltage	2V
номер канала	Поднятие
размеры	3.4 x 3.4 x 1.1мм
серия	OptiMOS 3
типичная входная емкость при vds	670 пФ при 75 В
типичное время задержки включения	7 ns
типичное время задержки выключения	10 нс
типичный заряд затвора при vgs	8,7 нКл при 10 В
тип канала	N
тип корпуса	TSDSON
тип монтажа	Поверхностный монтаж
transistor configuration	Одинарный
Ширина	3.4 мм

0.0

общая оценка

Всего 0 отзывов

0 отзывов

Отзывов нет

Кнопки