Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families.
Вес и габариты
channel mode
Enhancement
channel type
N
maximum continuous drain current
260 mA
maximum drain source resistance
7.5 Ω
maximum drain source voltage
240 V
maximum gate source voltage
-20 V, +20 V
maximum gate threshold voltage
1.8V
maximum operating temperature
+150 C
maximum power dissipation
1 W
minimum gate threshold voltage
0.8V
minimum operating temperature
-55 C
mounting type
Surface Mount
number of elements per chip
1
package type
SOT-89
pin count
3
series
SIPMOS
transistor configuration
Single
transistor material
Si
typical gate charge @ vgs
3.7 nC 10 V
width
2.5mm
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26