BSS84WQ-7-F

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Вес и габариты
channel modeEnhancement
configurationSingle
factory pack quantity3000
100
+
Бонус: 2 !
Бонусная программа
Итого: 100
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Вес и габариты
channel modeEnhancement
configurationSingle
factory pack quantity3000
forward transconductance - min0.05 S
id - continuous drain current130 mA
manufacturerDiodes Incorporated
maximum operating temperature+150 C
minimum operating temperature-55 C
mounting styleSMD/SMT
number of channels1 Channel
package / caseSOT-323-3
packagingCut Tape or Reel
pd - power dissipation200 mW
product categoryMOSFET
product typeMOSFET
qualificationAEC-Q101
rds on - drain-source resistance10 Ohms
seriesBSS84
subcategoryMOSFETs
technologySi
transistor polarityP-Channel
transistor type1 P-Channel
typical turn-off delay time18 ns
typical turn-on delay time10 ns
vds - drain-source breakdown voltage50 V
вес, г0.01
vgs - gate-source voltage5 V
vgs th - gate-source threshold voltage800 mV
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль