BSS84LT1G, Транзистор, P-канал, 50В 130мА [SOT-23]

P-канальный MOSFET в режиме улучшения, Fairchild Semiconductor Полевые транзисторы в режиме улучшения производятся с использованием запатентованной Fairchild, технологии DMOS с высокой плотностью ячеек. Этот процесс очень высокой плотности был разработан для минимизации сопротивления в открытом состоянии, обеспечения прочной и надежной работы и быстрого переключения.

Подробное описание

Корпус
крутизна характеристики, s	270
максимальная рассеиваемая мощность pси макс..вт	0.36

Все характеристики

21 ₽

– +

Бонус: 0.42 !

Бонусная программа

Итого: 21 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Корпус
крутизна характеристики, s	270
максимальная рассеиваемая мощность pси макс..вт	0.36
максимальное напряжение сток-исток uси,в	50
максимальное напряжение затвор-исток uзи макс.,в	20
максимальный ток сток-исток при 25 с iси макс..а	0.13
пороговое напряжение на затворе	-2
сопротивление канала в открытом состоянии rси вкл. (max) при id, rds (on)	10 Ом/0.1А, 5В
Структура	p-канал
вес, г	0.05

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

BSS84LT1G, Транзистор, P-канал, 50В 130мА [SOT-23]