The Infineon SIPMOS® small Signal P- channel MOSFETs have several features which may include enhancement mode, continuous drain current some as low as -80A plus a wide operating temperature range.

Подробное описание

Вес и габариты
channel mode	Enhancement
channel type	P
maximum continuous drain current	330 mA

Все характеристики

290 ₽

– +

Бонус: 5.8 !

Бонусная программа

Итого: 290 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

The Infineon SIPMOS® small Signal P- channel MOSFETs have several features which may include enhancement mode, continuous drain current some as low as -80A plus a wide operating temperature range.

Вес и габариты
channel mode	Enhancement
channel type	P
maximum continuous drain current	330 mA
maximum drain source resistance	3 Ω
maximum drain source voltage	60 V
maximum gate source voltage	-20 V, +20 V
maximum gate threshold voltage	2V
maximum operating temperature	+150 C
maximum power dissipation	360 mW
minimum gate threshold voltage	1V
minimum operating temperature	-55 C
mounting type	Surface Mount
number of elements per chip	1
package type	SOT-23
pin count	3
series	SIPMOS
transistor configuration	Single
transistor material	Si
typical gate charge @ vgs	2.38 nC 10 V
width	1.3mm

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

BSS83P