BSS806NH6327XTSA1, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 20В, 2,3А, 0,5Вт, SOT23

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BSS806NH6327XTSA1
МОП-транзистор N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3
Вес и габариты
base product numberBSS806 ->
current - continuous drain (id) @ 25в°c2.3A (Ta)
длина2.9 mm
26
+
Бонус: 0.52 !
Бонусная программа
Итого: 26
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор N-Ch 20V 2.3A SOT-23-3
Вес и габариты
base product numberBSS806 ->
current - continuous drain (id) @ 25в°c2.3A (Ta)
длина2.9 mm
drain to source voltage (vdss)20V
drive voltage (max rds on, min rds on)1.8V, 2.5V
другие названия товара №BSS806N BSS86NH6327XT H6327 SP000928952
eccnEAR99
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs1.7nC @ 2.5V
Высота 1.1 мм
htsus8541.21.0095
id - непрерывный ток утечки2.3 A
input capacitance (ciss) (max) @ vds529pF @ 10V
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.9 S
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
pd - рассеивание мощности500 mW (1/2 W)
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
power dissipation (max)500mW (Ta)
qg - заряд затвора1.7 nC
размер фабричной упаковки3000
rds on (max) @ id, vgs57mOhm @ 2.3A, 2.5V
rds вкл - сопротивление сток-исток41 mOhms
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
seriesOptiMOSв„ў ->
серияBSS806
supplier device packageSOT-23-3
technologyMOSFET (Metal Oxide)
технологияSi
типичное время задержки при включении7.5 ns
типичное время задержки выключения12 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаInfineon Technologies
упаковка / блокSOT-23-3
vds - напряжение пробоя сток-исток20 V
вес, г0.02
vgs (max)В±8V
vgs - напряжение затвор-исток8 V
vgs(th) (max) @ id750mV @ 11ВµA
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток300 mV
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания9.9 ns
время спада3.7 ns
Ширина1.3 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль